بهبود عملکرد ترانزیستورهای نسل آینده با تلاش محققان دانشگاه تهران

تهران- ایرنا- پژوهشگران دانشکدگان فنی دانشگاه تهران در مطالعه‌ای با بررسی عملکرد تک‌لایه WSi₂N₄ در ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) و ترانزیستورهای تونلی(TFET)، راهکاری برای افزایش بهره‌وری انرژی و بهبود عملکرد ادوات الکترونیکی ارایه کردند.